Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AUIRLU3110Z
MOSFET N-CH 100V 63A IPAK
Číslo dílu
AUIRLU3110Z
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
I-PAK
Ztráta energie (max.)
140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
14 mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3980pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
VGS (max.)
-
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14307 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova AUIRLU3110Z
AUIRLU3110Z Elektronické komponenty
AUIRLU3110Z Odbyt
AUIRLU3110Z Dodavatel
AUIRLU3110Z Distributor
AUIRLU3110Z Datová tabulka
AUIRLU3110Z Fotky
AUIRLU3110Z Cena
AUIRLU3110Z Nabídka
AUIRLU3110Z Nejnižší cena
AUIRLU3110Z Vyhledávání
AUIRLU3110Z Nákup
AUIRLU3110Z Chip