Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AUIRS20161S
IC DRVR IGBT/MOSFET 8SOIC
Číslo dílu
AUIRS20161S
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q100
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Typ vstupu
Inverting
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC
Zdroj napětí
4.4 V ~ 6.5 V
Typ kanálu
Single
Řízená konfigurace
High-Side
Počet řidičů
1
Typ brány
IGBT, N-Channel MOSFET
Logické napětí - VIL, VIH
-
Proud – špičkový výstup (zdroj, jímka)
500mA, 500mA
Vysoké boční napětí – Max (Bootstrap)
150V
Časy nahoru/dolů (Tip)
200ns, 200ns
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32596 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova AUIRS20161S
AUIRS20161S Elektronické komponenty
AUIRS20161S Odbyt
AUIRS20161S Dodavatel
AUIRS20161S Distributor
AUIRS20161S Datová tabulka
AUIRS20161S Fotky
AUIRS20161S Cena
AUIRS20161S Nabídka
AUIRS20161S Nejnižší cena
AUIRS20161S Vyhledávání
AUIRS20161S Nákup
AUIRS20161S Chip