Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BSF083N03LQ G
MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2
Číslo dílu
BSF083N03LQ G
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
3-WDSON
Dodavatelský balíček zařízení
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Ztráta energie (max.)
2.2W (Ta), 36W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13A (Ta), 53A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12366 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSF083N03LQ G
BSF083N03LQ G Elektronické komponenty
BSF083N03LQ G Odbyt
BSF083N03LQ G Dodavatel
BSF083N03LQ G Distributor
BSF083N03LQ G Datová tabulka
BSF083N03LQ G Fotky
BSF083N03LQ G Cena
BSF083N03LQ G Nabídka
BSF083N03LQ G Nejnižší cena
BSF083N03LQ G Vyhledávání
BSF083N03LQ G Nákup
BSF083N03LQ G Chip