Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
DF11MR12W1M1B11BOMA1
MOSFET MODULE 1200V 50A
Číslo dílu
DF11MR12W1M1B11BOMA1
Výrobce/značka
Série
CoolSiC™
Stav sekce
Active
Obal
-
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
Module
Výkon - Max
20mW
Dodavatelský balíček zařízení
Module
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Standard
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1200V (1.2kV)
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
55A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
23 mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 20mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
125nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3950pF @ 800V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9048 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova DF11MR12W1M1B11BOMA1
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Elektronické komponenty
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Odbyt
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Dodavatel
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Distributor
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Datová tabulka
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Fotky
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Cena
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Nabídka
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Nejnižší cena
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Vyhledávání
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Nákup
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Chip