Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
DF23MR12W1M1B11BOMA1
MOSFET MODULE 1200V 25A
Číslo dílu
DF23MR12W1M1B11BOMA1
Výrobce/značka
Série
CoolSiC™
Stav sekce
Active
Obal
-
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
Module
Výkon - Max
20mW
Dodavatelský balíček zařízení
Module
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Standard
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1200V (1.2kV)
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
45 mOhm @ 25A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 10mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
620nC @ 15V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 800V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44625 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova DF23MR12W1M1B11BOMA1
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Elektronické komponenty
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Odbyt
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Dodavatel
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Distributor
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Datová tabulka
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Fotky
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Cena
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Nabídka
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Nejnižší cena
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Vyhledávání
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Nákup
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Chip