Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB12CN10N G
MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3
Číslo dílu
IPB12CN10N G
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
67A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12.6 mOhm @ 67A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 83µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4320pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48169 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB12CN10N G
IPB12CN10N G Elektronické komponenty
IPB12CN10N G Odbyt
IPB12CN10N G Dodavatel
IPB12CN10N G Distributor
IPB12CN10N G Datová tabulka
IPB12CN10N G Fotky
IPB12CN10N G Cena
IPB12CN10N G Nabídka
IPB12CN10N G Nejnižší cena
IPB12CN10N G Vyhledávání
IPB12CN10N G Nákup
IPB12CN10N G Chip