IPB136N08N3 G
MOSFET N-CH 80V 45A TO263-3
Číslo dílu
IPB136N08N3 G
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
79W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13.6 mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 33µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1730pF @ 40V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49988 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB136N08N3 G
IPB136N08N3 G Elektronické komponenty
IPB136N08N3 G Odbyt
IPB136N08N3 G Dodavatel
IPB136N08N3 G Distributor
IPB136N08N3 G Datová tabulka
IPB136N08N3 G Fotky
IPB136N08N3 G Cena
IPB136N08N3 G Nabídka
IPB136N08N3 G Nejnižší cena
IPB136N08N3 G Vyhledávání
IPB136N08N3 G Nákup
IPB136N08N3 G Chip