IPB60R080P7ATMA1
MOSFET N-CH TO263-3
Číslo dílu
IPB60R080P7ATMA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™ P7
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
129W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
37A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
80 mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 590µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
51nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2180pF @ 400V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17237 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB60R080P7ATMA1
IPB60R080P7ATMA1 Elektronické komponenty
IPB60R080P7ATMA1 Odbyt
IPB60R080P7ATMA1 Dodavatel
IPB60R080P7ATMA1 Distributor
IPB60R080P7ATMA1 Datová tabulka
IPB60R080P7ATMA1 Fotky
IPB60R080P7ATMA1 Cena
IPB60R080P7ATMA1 Nabídka
IPB60R080P7ATMA1 Nejnižší cena
IPB60R080P7ATMA1 Vyhledávání
IPB60R080P7ATMA1 Nákup
IPB60R080P7ATMA1 Chip