IPB60R190C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263
Číslo dílu
IPB60R190C6ATMA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
151W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
190 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 630µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
63nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25373 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB60R190C6ATMA1
IPB60R190C6ATMA1 Elektronické komponenty
IPB60R190C6ATMA1 Odbyt
IPB60R190C6ATMA1 Dodavatel
IPB60R190C6ATMA1 Distributor
IPB60R190C6ATMA1 Datová tabulka
IPB60R190C6ATMA1 Fotky
IPB60R190C6ATMA1 Cena
IPB60R190C6ATMA1 Nabídka
IPB60R190C6ATMA1 Nejnižší cena
IPB60R190C6ATMA1 Vyhledávání
IPB60R190C6ATMA1 Nákup
IPB60R190C6ATMA1 Chip