IPB65R110CFDAATMA1
MOSFET N-CH TO263-3
Číslo dílu
IPB65R110CFDAATMA1
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
277.8W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
31.2A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
110 mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.3mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
118nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3240pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20787 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB65R110CFDAATMA1
IPB65R110CFDAATMA1 Elektronické komponenty
IPB65R110CFDAATMA1 Odbyt
IPB65R110CFDAATMA1 Dodavatel
IPB65R110CFDAATMA1 Distributor
IPB65R110CFDAATMA1 Datová tabulka
IPB65R110CFDAATMA1 Fotky
IPB65R110CFDAATMA1 Cena
IPB65R110CFDAATMA1 Nabídka
IPB65R110CFDAATMA1 Nejnižší cena
IPB65R110CFDAATMA1 Vyhledávání
IPB65R110CFDAATMA1 Nákup
IPB65R110CFDAATMA1 Chip