IPD042P03L3GBTMA1
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Číslo dílu
IPD042P03L3GBTMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
150W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.2 mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 270µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
175nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
12400pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26038 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD042P03L3GBTMA1
IPD042P03L3GBTMA1 Elektronické komponenty
IPD042P03L3GBTMA1 Odbyt
IPD042P03L3GBTMA1 Dodavatel
IPD042P03L3GBTMA1 Distributor
IPD042P03L3GBTMA1 Datová tabulka
IPD042P03L3GBTMA1 Fotky
IPD042P03L3GBTMA1 Cena
IPD042P03L3GBTMA1 Nabídka
IPD042P03L3GBTMA1 Nejnižší cena
IPD042P03L3GBTMA1 Vyhledávání
IPD042P03L3GBTMA1 Nákup
IPD042P03L3GBTMA1 Chip