Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD053N08N3GBTMA1
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Číslo dílu
IPD053N08N3GBTMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5.3 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
69nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4750pF @ 40V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 31644 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD053N08N3GBTMA1
IPD053N08N3GBTMA1 Elektronické komponenty
IPD053N08N3GBTMA1 Odbyt
IPD053N08N3GBTMA1 Dodavatel
IPD053N08N3GBTMA1 Distributor
IPD053N08N3GBTMA1 Datová tabulka
IPD053N08N3GBTMA1 Fotky
IPD053N08N3GBTMA1 Cena
IPD053N08N3GBTMA1 Nabídka
IPD053N08N3GBTMA1 Nejnižší cena
IPD053N08N3GBTMA1 Vyhledávání
IPD053N08N3GBTMA1 Nákup
IPD053N08N3GBTMA1 Chip