Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD068N10N3GBTMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Číslo dílu
IPD068N10N3GBTMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.8 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
68nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4910pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33878 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD068N10N3GBTMA1
IPD068N10N3GBTMA1 Elektronické komponenty
IPD068N10N3GBTMA1 Odbyt
IPD068N10N3GBTMA1 Dodavatel
IPD068N10N3GBTMA1 Distributor
IPD068N10N3GBTMA1 Datová tabulka
IPD068N10N3GBTMA1 Fotky
IPD068N10N3GBTMA1 Cena
IPD068N10N3GBTMA1 Nabídka
IPD068N10N3GBTMA1 Nejnižší cena
IPD068N10N3GBTMA1 Vyhledávání
IPD068N10N3GBTMA1 Nákup
IPD068N10N3GBTMA1 Chip