IPD068P03L3GBTMA1
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Číslo dílu
IPD068P03L3GBTMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
100W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.8 mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
91nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7720pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49923 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD068P03L3GBTMA1
IPD068P03L3GBTMA1 Elektronické komponenty
IPD068P03L3GBTMA1 Odbyt
IPD068P03L3GBTMA1 Dodavatel
IPD068P03L3GBTMA1 Distributor
IPD068P03L3GBTMA1 Datová tabulka
IPD068P03L3GBTMA1 Fotky
IPD068P03L3GBTMA1 Cena
IPD068P03L3GBTMA1 Nabídka
IPD068P03L3GBTMA1 Nejnižší cena
IPD068P03L3GBTMA1 Vyhledávání
IPD068P03L3GBTMA1 Nákup
IPD068P03L3GBTMA1 Chip