Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD135N08N3GBTMA1
MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
Číslo dílu
IPD135N08N3GBTMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
79W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13.5 mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 33µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1730pF @ 40V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48012 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD135N08N3GBTMA1
IPD135N08N3GBTMA1 Elektronické komponenty
IPD135N08N3GBTMA1 Odbyt
IPD135N08N3GBTMA1 Dodavatel
IPD135N08N3GBTMA1 Distributor
IPD135N08N3GBTMA1 Datová tabulka
IPD135N08N3GBTMA1 Fotky
IPD135N08N3GBTMA1 Cena
IPD135N08N3GBTMA1 Nabídka
IPD135N08N3GBTMA1 Nejnižší cena
IPD135N08N3GBTMA1 Vyhledávání
IPD135N08N3GBTMA1 Nákup
IPD135N08N3GBTMA1 Chip