Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD160N04LGBTMA1
MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
Číslo dílu
IPD160N04LGBTMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
31W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
16 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 10µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32811 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD160N04LGBTMA1
IPD160N04LGBTMA1 Elektronické komponenty
IPD160N04LGBTMA1 Odbyt
IPD160N04LGBTMA1 Dodavatel
IPD160N04LGBTMA1 Distributor
IPD160N04LGBTMA1 Datová tabulka
IPD160N04LGBTMA1 Fotky
IPD160N04LGBTMA1 Cena
IPD160N04LGBTMA1 Nabídka
IPD160N04LGBTMA1 Nejnižší cena
IPD160N04LGBTMA1 Vyhledávání
IPD160N04LGBTMA1 Nákup
IPD160N04LGBTMA1 Chip