Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD16CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3
Číslo dílu
IPD16CNE8N G
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
100W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
85V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
53A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
16 mOhm @ 53A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 61µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3230pF @ 40V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50594 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD16CNE8N G
IPD16CNE8N G Elektronické komponenty
IPD16CNE8N G Odbyt
IPD16CNE8N G Dodavatel
IPD16CNE8N G Distributor
IPD16CNE8N G Datová tabulka
IPD16CNE8N G Fotky
IPD16CNE8N G Cena
IPD16CNE8N G Nabídka
IPD16CNE8N G Nejnižší cena
IPD16CNE8N G Vyhledávání
IPD16CNE8N G Nákup
IPD16CNE8N G Chip