IPD180N10N3GBTMA1
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Číslo dílu
IPD180N10N3GBTMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
71W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
43A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
18 mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 33µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35866 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD180N10N3GBTMA1
IPD180N10N3GBTMA1 Elektronické komponenty
IPD180N10N3GBTMA1 Odbyt
IPD180N10N3GBTMA1 Dodavatel
IPD180N10N3GBTMA1 Distributor
IPD180N10N3GBTMA1 Datová tabulka
IPD180N10N3GBTMA1 Fotky
IPD180N10N3GBTMA1 Cena
IPD180N10N3GBTMA1 Nabídka
IPD180N10N3GBTMA1 Nejnižší cena
IPD180N10N3GBTMA1 Vyhledávání
IPD180N10N3GBTMA1 Nákup
IPD180N10N3GBTMA1 Chip