Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD30N06S215ATMA2
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Číslo dílu
IPD30N06S215ATMA2
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3-11
Ztráta energie (max.)
136W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
14.7 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 80µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1485pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 11466 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD30N06S215ATMA2
IPD30N06S215ATMA2 Elektronické komponenty
IPD30N06S215ATMA2 Odbyt
IPD30N06S215ATMA2 Dodavatel
IPD30N06S215ATMA2 Distributor
IPD30N06S215ATMA2 Datová tabulka
IPD30N06S215ATMA2 Fotky
IPD30N06S215ATMA2 Cena
IPD30N06S215ATMA2 Nabídka
IPD30N06S215ATMA2 Nejnižší cena
IPD30N06S215ATMA2 Vyhledávání
IPD30N06S215ATMA2 Nákup
IPD30N06S215ATMA2 Chip