Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD33CN10NGBUMA1
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Číslo dílu
IPD33CN10NGBUMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
58W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
33 mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 29µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1570pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6150 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD33CN10NGBUMA1
IPD33CN10NGBUMA1 Elektronické komponenty
IPD33CN10NGBUMA1 Odbyt
IPD33CN10NGBUMA1 Dodavatel
IPD33CN10NGBUMA1 Distributor
IPD33CN10NGBUMA1 Datová tabulka
IPD33CN10NGBUMA1 Fotky
IPD33CN10NGBUMA1 Cena
IPD33CN10NGBUMA1 Nabídka
IPD33CN10NGBUMA1 Nejnižší cena
IPD33CN10NGBUMA1 Vyhledávání
IPD33CN10NGBUMA1 Nákup
IPD33CN10NGBUMA1 Chip