IPD35N10S3L26ATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Číslo dílu
IPD35N10S3L26ATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
71W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
24 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 39µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41942 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD35N10S3L26ATMA1
IPD35N10S3L26ATMA1 Elektronické komponenty
IPD35N10S3L26ATMA1 Odbyt
IPD35N10S3L26ATMA1 Dodavatel
IPD35N10S3L26ATMA1 Distributor
IPD35N10S3L26ATMA1 Datová tabulka
IPD35N10S3L26ATMA1 Fotky
IPD35N10S3L26ATMA1 Cena
IPD35N10S3L26ATMA1 Nabídka
IPD35N10S3L26ATMA1 Nejnižší cena
IPD35N10S3L26ATMA1 Vyhledávání
IPD35N10S3L26ATMA1 Nákup
IPD35N10S3L26ATMA1 Chip