Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD50N06S4L08ATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Číslo dílu
IPD50N06S4L08ATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
71W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 35µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
64nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4780pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7719 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD50N06S4L08ATMA1
IPD50N06S4L08ATMA1 Elektronické komponenty
IPD50N06S4L08ATMA1 Odbyt
IPD50N06S4L08ATMA1 Dodavatel
IPD50N06S4L08ATMA1 Distributor
IPD50N06S4L08ATMA1 Datová tabulka
IPD50N06S4L08ATMA1 Fotky
IPD50N06S4L08ATMA1 Cena
IPD50N06S4L08ATMA1 Nabídka
IPD50N06S4L08ATMA1 Nejnižší cena
IPD50N06S4L08ATMA1 Vyhledávání
IPD50N06S4L08ATMA1 Nákup
IPD50N06S4L08ATMA1 Chip