Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD50R399CP
MOSFET N-CH 550V 9A TO-252
Číslo dílu
IPD50R399CP
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
83W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
550V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
399 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 330µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
890pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35142 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD50R399CP
IPD50R399CP Elektronické komponenty
IPD50R399CP Odbyt
IPD50R399CP Dodavatel
IPD50R399CP Distributor
IPD50R399CP Datová tabulka
IPD50R399CP Fotky
IPD50R399CP Cena
IPD50R399CP Nabídka
IPD50R399CP Nejnižší cena
IPD50R399CP Vyhledávání
IPD50R399CP Nákup
IPD50R399CP Chip