IPD50R650CEBTMA1
MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
Číslo dílu
IPD50R650CEBTMA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
47W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.1A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
650 mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
342pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
13V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51157 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD50R650CEBTMA1
IPD50R650CEBTMA1 Elektronické komponenty
IPD50R650CEBTMA1 Odbyt
IPD50R650CEBTMA1 Dodavatel
IPD50R650CEBTMA1 Distributor
IPD50R650CEBTMA1 Datová tabulka
IPD50R650CEBTMA1 Fotky
IPD50R650CEBTMA1 Cena
IPD50R650CEBTMA1 Nabídka
IPD50R650CEBTMA1 Nejnižší cena
IPD50R650CEBTMA1 Vyhledávání
IPD50R650CEBTMA1 Nákup
IPD50R650CEBTMA1 Chip