IPD60R600E6
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Číslo dílu
IPD60R600E6
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
63W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
600 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18114 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD60R600E6
IPD60R600E6 Elektronické komponenty
IPD60R600E6 Odbyt
IPD60R600E6 Dodavatel
IPD60R600E6 Distributor
IPD60R600E6 Datová tabulka
IPD60R600E6 Fotky
IPD60R600E6 Cena
IPD60R600E6 Nabídka
IPD60R600E6 Nejnižší cena
IPD60R600E6 Vyhledávání
IPD60R600E6 Nákup
IPD60R600E6 Chip