Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD60R650CEBTMA1
MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Číslo dílu
IPD60R650CEBTMA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™ CE
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
82W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
650 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 11908 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD60R650CEBTMA1
IPD60R650CEBTMA1 Elektronické komponenty
IPD60R650CEBTMA1 Odbyt
IPD60R650CEBTMA1 Dodavatel
IPD60R650CEBTMA1 Distributor
IPD60R650CEBTMA1 Datová tabulka
IPD60R650CEBTMA1 Fotky
IPD60R650CEBTMA1 Cena
IPD60R650CEBTMA1 Nabídka
IPD60R650CEBTMA1 Nejnižší cena
IPD60R650CEBTMA1 Vyhledávání
IPD60R650CEBTMA1 Nákup
IPD60R650CEBTMA1 Chip