Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPI80N06S4L05AKSA2
MOSFET N-CH TO262-3
Číslo dílu
IPI80N06S4L05AKSA2
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO262-3-1
Ztráta energie (max.)
107W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.5 mOhm @ 40A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 60µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8180pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19489 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPI80N06S4L05AKSA2
IPI80N06S4L05AKSA2 Elektronické komponenty
IPI80N06S4L05AKSA2 Odbyt
IPI80N06S4L05AKSA2 Dodavatel
IPI80N06S4L05AKSA2 Distributor
IPI80N06S4L05AKSA2 Datová tabulka
IPI80N06S4L05AKSA2 Fotky
IPI80N06S4L05AKSA2 Cena
IPI80N06S4L05AKSA2 Nabídka
IPI80N06S4L05AKSA2 Nejnižší cena
IPI80N06S4L05AKSA2 Vyhledávání
IPI80N06S4L05AKSA2 Nákup
IPI80N06S4L05AKSA2 Chip