Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPI80P04P4L08AKSA1
MOSFET P-CH TO262-3
Číslo dílu
IPI80P04P4L08AKSA1
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO262-3-1
Ztráta energie (max.)
75W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 120µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
92nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5430pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
+5V, -16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail chen_hx1688@hotmail.com, budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7127 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPI80P04P4L08AKSA1
IPI80P04P4L08AKSA1 Elektronické komponenty
IPI80P04P4L08AKSA1 Odbyt
IPI80P04P4L08AKSA1 Dodavatel
IPI80P04P4L08AKSA1 Distributor
IPI80P04P4L08AKSA1 Datová tabulka
IPI80P04P4L08AKSA1 Fotky
IPI80P04P4L08AKSA1 Cena
IPI80P04P4L08AKSA1 Nabídka
IPI80P04P4L08AKSA1 Nejnižší cena
IPI80P04P4L08AKSA1 Vyhledávání
IPI80P04P4L08AKSA1 Nákup
IPI80P04P4L08AKSA1 Chip