Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPP26CN10NGHKSA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO-220
Číslo dílu
IPP26CN10NGHKSA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO-220-3
Ztráta energie (max.)
71W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
26 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 39µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2070pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6591 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPP26CN10NGHKSA1
IPP26CN10NGHKSA1 Elektronické komponenty
IPP26CN10NGHKSA1 Odbyt
IPP26CN10NGHKSA1 Dodavatel
IPP26CN10NGHKSA1 Distributor
IPP26CN10NGHKSA1 Datová tabulka
IPP26CN10NGHKSA1 Fotky
IPP26CN10NGHKSA1 Cena
IPP26CN10NGHKSA1 Nabídka
IPP26CN10NGHKSA1 Nejnižší cena
IPP26CN10NGHKSA1 Vyhledávání
IPP26CN10NGHKSA1 Nákup
IPP26CN10NGHKSA1 Chip