Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPS04N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
Číslo dílu
IPS04N03LB G
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO251-3
Ztráta energie (max.)
115W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 70µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5200pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6178 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPS04N03LB G
IPS04N03LB G Elektronické komponenty
IPS04N03LB G Odbyt
IPS04N03LB G Dodavatel
IPS04N03LB G Distributor
IPS04N03LB G Datová tabulka
IPS04N03LB G Fotky
IPS04N03LB G Cena
IPS04N03LB G Nabídka
IPS04N03LB G Nejnižší cena
IPS04N03LB G Vyhledávání
IPS04N03LB G Nákup
IPS04N03LB G Chip