Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPS110N12N3GBKMA1

IPS110N12N3GBKMA1

MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3
Číslo dílu
IPS110N12N3GBKMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO251-3
Ztráta energie (max.)
136W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
120V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 83µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4310pF @ 60V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41636 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IPS110N12N3GBKMA1
IPS110N12N3GBKMA1 Elektronické komponenty
IPS110N12N3GBKMA1 Odbyt
IPS110N12N3GBKMA1 Dodavatel
IPS110N12N3GBKMA1 Distributor
IPS110N12N3GBKMA1 Datová tabulka
IPS110N12N3GBKMA1 Fotky
IPS110N12N3GBKMA1 Cena
IPS110N12N3GBKMA1 Nabídka
IPS110N12N3GBKMA1 Nejnižší cena
IPS110N12N3GBKMA1 Vyhledávání
IPS110N12N3GBKMA1 Nákup
IPS110N12N3GBKMA1 Chip