Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPW65R150CFDFKSA1
MOSFET N-CH 650V TO247
Číslo dílu
IPW65R150CFDFKSA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO247-3
Ztráta energie (max.)
195.3W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
22.4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
150 mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 900µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
86nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2340pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5813 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPW65R150CFDFKSA1
IPW65R150CFDFKSA1 Elektronické komponenty
IPW65R150CFDFKSA1 Odbyt
IPW65R150CFDFKSA1 Dodavatel
IPW65R150CFDFKSA1 Distributor
IPW65R150CFDFKSA1 Datová tabulka
IPW65R150CFDFKSA1 Fotky
IPW65R150CFDFKSA1 Cena
IPW65R150CFDFKSA1 Nabídka
IPW65R150CFDFKSA1 Nejnižší cena
IPW65R150CFDFKSA1 Vyhledávání
IPW65R150CFDFKSA1 Nákup
IPW65R150CFDFKSA1 Chip