Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IR2112S
IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC
Číslo dílu
IR2112S
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Typ vstupu
Non-Inverting
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
16-SOIC
Zdroj napětí
10 V ~ 20 V
Typ kanálu
Independent
Řízená konfigurace
Half-Bridge
Počet řidičů
2
Typ brány
IGBT, N-Channel MOSFET
Logické napětí - VIL, VIH
6V, 9.5V
Proud – špičkový výstup (zdroj, jímka)
250mA, 500mA
Vysoké boční napětí – Max (Bootstrap)
600V
Časy nahoru/dolů (Tip)
80ns, 40ns
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46886 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IR2112S
IR2112S Elektronické komponenty
IR2112S Odbyt
IR2112S Dodavatel
IR2112S Distributor
IR2112S Datová tabulka
IR2112S Fotky
IR2112S Cena
IR2112S Nabídka
IR2112S Nejnižší cena
IR2112S Vyhledávání
IR2112S Nákup
IR2112S Chip