Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IR2112SPBF
IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC
Číslo dílu
IR2112SPBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Typ vstupu
Non-Inverting
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
16-SOIC
Zdroj napětí
10 V ~ 20 V
Typ kanálu
Independent
Řízená konfigurace
Half-Bridge
Počet řidičů
2
Typ brány
IGBT, N-Channel MOSFET
Logické napětí - VIL, VIH
6V, 9.5V
Proud – špičkový výstup (zdroj, jímka)
250mA, 500mA
Vysoké boční napětí – Max (Bootstrap)
600V
Časy nahoru/dolů (Tip)
80ns, 40ns
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48263 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IR2112SPBF
IR2112SPBF Elektronické komponenty
IR2112SPBF Odbyt
IR2112SPBF Dodavatel
IR2112SPBF Distributor
IR2112SPBF Datová tabulka
IR2112SPBF Fotky
IR2112SPBF Cena
IR2112SPBF Nabídka
IR2112SPBF Nejnižší cena
IR2112SPBF Vyhledávání
IR2112SPBF Nákup
IR2112SPBF Chip