Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFB4020PBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
Číslo dílu
IRFB4020PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
100W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37905 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFB4020PBF
IRFB4020PBF Elektronické komponenty
IRFB4020PBF Odbyt
IRFB4020PBF Dodavatel
IRFB4020PBF Distributor
IRFB4020PBF Datová tabulka
IRFB4020PBF Fotky
IRFB4020PBF Cena
IRFB4020PBF Nabídka
IRFB4020PBF Nejnižší cena
IRFB4020PBF Vyhledávání
IRFB4020PBF Nákup
IRFB4020PBF Chip