Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFB59N10DPBF
MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
Číslo dílu
IRFB59N10DPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
25 mOhm @ 35.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
114nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2450pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14179 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFB59N10DPBF
IRFB59N10DPBF Elektronické komponenty
IRFB59N10DPBF Odbyt
IRFB59N10DPBF Dodavatel
IRFB59N10DPBF Distributor
IRFB59N10DPBF Datová tabulka
IRFB59N10DPBF Fotky
IRFB59N10DPBF Cena
IRFB59N10DPBF Nabídka
IRFB59N10DPBF Nejnižší cena
IRFB59N10DPBF Vyhledávání
IRFB59N10DPBF Nákup
IRFB59N10DPBF Chip