Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFB61N15DPBF
MOSFET N-CH 150V 60A TO-220AB
Číslo dílu
IRFB61N15DPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
2.4W (Ta), 330W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
32 mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3470pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24546 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFB61N15DPBF
IRFB61N15DPBF Elektronické komponenty
IRFB61N15DPBF Odbyt
IRFB61N15DPBF Dodavatel
IRFB61N15DPBF Distributor
IRFB61N15DPBF Datová tabulka
IRFB61N15DPBF Fotky
IRFB61N15DPBF Cena
IRFB61N15DPBF Nabídka
IRFB61N15DPBF Nejnižší cena
IRFB61N15DPBF Vyhledávání
IRFB61N15DPBF Nákup
IRFB61N15DPBF Chip