Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFU5410PBF
MOSFET P-CH 100V 13A I-PAK
Číslo dílu
IRFU5410PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
IPAK (TO-251)
Ztráta energie (max.)
66W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
205 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
58nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
760pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18689 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFU5410PBF
IRFU5410PBF Elektronické komponenty
IRFU5410PBF Odbyt
IRFU5410PBF Dodavatel
IRFU5410PBF Distributor
IRFU5410PBF Datová tabulka
IRFU5410PBF Fotky
IRFU5410PBF Cena
IRFU5410PBF Nabídka
IRFU5410PBF Nejnižší cena
IRFU5410PBF Vyhledávání
IRFU5410PBF Nákup
IRFU5410PBF Chip