IRL100HS121
MOSFET N-CH 100V 6PQFN
Číslo dílu
IRL100HS121
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-VDFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
6-PQFN (2x2)
Ztráta energie (max.)
11.5W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
42 mOhm @ 6.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 10µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
5.6nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48969 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRL100HS121
IRL100HS121 Elektronické komponenty
IRL100HS121 Odbyt
IRL100HS121 Dodavatel
IRL100HS121 Distributor
IRL100HS121 Datová tabulka
IRL100HS121 Fotky
IRL100HS121 Cena
IRL100HS121 Nabídka
IRL100HS121 Nejnižší cena
IRL100HS121 Vyhledávání
IRL100HS121 Nákup
IRL100HS121 Chip