Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRL3502STRRPBF
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Číslo dílu
IRL3502STRRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7 mOhm @ 64A, 7V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4700pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 7V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38405 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRL3502STRRPBF
IRL3502STRRPBF Elektronické komponenty
IRL3502STRRPBF Odbyt
IRL3502STRRPBF Dodavatel
IRL3502STRRPBF Distributor
IRL3502STRRPBF Datová tabulka
IRL3502STRRPBF Fotky
IRL3502STRRPBF Cena
IRL3502STRRPBF Nabídka
IRL3502STRRPBF Nejnižší cena
IRL3502STRRPBF Vyhledávání
IRL3502STRRPBF Nákup
IRL3502STRRPBF Chip