IRLL024NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Číslo dílu
IRLL024NTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-223
Ztráta energie (max.)
1W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.1A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
65 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15.6nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
510pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35420 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLL024NTRPBF
IRLL024NTRPBF Elektronické komponenty
IRLL024NTRPBF Odbyt
IRLL024NTRPBF Dodavatel
IRLL024NTRPBF Distributor
IRLL024NTRPBF Datová tabulka
IRLL024NTRPBF Fotky
IRLL024NTRPBF Cena
IRLL024NTRPBF Nabídka
IRLL024NTRPBF Nejnižší cena
IRLL024NTRPBF Vyhledávání
IRLL024NTRPBF Nákup
IRLL024NTRPBF Chip