Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLU8259PBF
MOSFET N-CH 25V 57A IPAK
Číslo dílu
IRLU8259PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
I-PAK
Ztráta energie (max.)
48W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
57A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.7 mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
900pF @ 13V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54945 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLU8259PBF
IRLU8259PBF Elektronické komponenty
IRLU8259PBF Odbyt
IRLU8259PBF Dodavatel
IRLU8259PBF Distributor
IRLU8259PBF Datová tabulka
IRLU8259PBF Fotky
IRLU8259PBF Cena
IRLU8259PBF Nabídka
IRLU8259PBF Nejnižší cena
IRLU8259PBF Vyhledávání
IRLU8259PBF Nákup
IRLU8259PBF Chip