Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SI4420DYPBF
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
Číslo dílu
SI4420DYPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12.5A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2240pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21893 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI4420DYPBF
SI4420DYPBF Elektronické komponenty
SI4420DYPBF Odbyt
SI4420DYPBF Dodavatel
SI4420DYPBF Distributor
SI4420DYPBF Datová tabulka
SI4420DYPBF Fotky
SI4420DYPBF Cena
SI4420DYPBF Nabídka
SI4420DYPBF Nejnižší cena
SI4420DYPBF Vyhledávání
SI4420DYPBF Nákup
SI4420DYPBF Chip