Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SI4435DYPBF
MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
Číslo dílu
SI4435DYPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
20 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2320pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14975 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI4435DYPBF
SI4435DYPBF Elektronické komponenty
SI4435DYPBF Odbyt
SI4435DYPBF Dodavatel
SI4435DYPBF Distributor
SI4435DYPBF Datová tabulka
SI4435DYPBF Fotky
SI4435DYPBF Cena
SI4435DYPBF Nabídka
SI4435DYPBF Nejnižší cena
SI4435DYPBF Vyhledávání
SI4435DYPBF Nákup
SI4435DYPBF Chip