Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SPB08P06P
MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK
Číslo dílu
SPB08P06P
Výrobce/značka
Série
SIPMOS®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-3-2
Ztráta energie (max.)
42W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.8A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
300 mOhm @ 6.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
420pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41609 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SPB08P06P
SPB08P06P Elektronické komponenty
SPB08P06P Odbyt
SPB08P06P Dodavatel
SPB08P06P Distributor
SPB08P06P Datová tabulka
SPB08P06P Fotky
SPB08P06P Cena
SPB08P06P Nabídka
SPB08P06P Nejnižší cena
SPB08P06P Vyhledávání
SPB08P06P Nákup
SPB08P06P Chip