Koupit Infineon Technologies SPB10N10 G MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

Zobrazit více informací DataSheets

SPB10N10 G

MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK

Číslo dílu

SPB10N10 G

Výrobce/značka

Infineon Technologies

Série

SIPMOS®

Stav sekce

Obsolete

Obal

Tape & Reel (TR)

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Dodavatelský balíček zařízení

PG-TO263-3-2

Ztráta energie (max.)

50W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

100V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

10.3A (Tc)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

170 mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 21µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

19.4nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

426pF @ 25V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

VGS (max.)

±20V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 23508 PCS

Kontaktní informace

Související produkty