Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SPB21N10 G
MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
Číslo dílu
SPB21N10 G
Výrobce/značka
Série
SIPMOS®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-3-2
Ztráta energie (max.)
90W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
80 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 44µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38.4nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
865pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22763 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SPB21N10 G
SPB21N10 G Elektronické komponenty
SPB21N10 G Odbyt
SPB21N10 G Dodavatel
SPB21N10 G Distributor
SPB21N10 G Datová tabulka
SPB21N10 G Fotky
SPB21N10 G Cena
SPB21N10 G Nabídka
SPB21N10 G Nejnižší cena
SPB21N10 G Vyhledávání
SPB21N10 G Nákup
SPB21N10 G Chip