Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SPB80N06S08ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Číslo dílu
SPB80N06S08ATMA1
Výrobce/značka
Série
SIPMOS®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-3-2
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 240µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
187nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3660pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49296 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SPB80N06S08ATMA1
SPB80N06S08ATMA1 Elektronické komponenty
SPB80N06S08ATMA1 Odbyt
SPB80N06S08ATMA1 Dodavatel
SPB80N06S08ATMA1 Distributor
SPB80N06S08ATMA1 Datová tabulka
SPB80N06S08ATMA1 Fotky
SPB80N06S08ATMA1 Cena
SPB80N06S08ATMA1 Nabídka
SPB80N06S08ATMA1 Nejnižší cena
SPB80N06S08ATMA1 Vyhledávání
SPB80N06S08ATMA1 Nákup
SPB80N06S08ATMA1 Chip