Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SPB80N06S2L-09
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Číslo dílu
SPB80N06S2L-09
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-3-2
Ztráta energie (max.)
190W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.5 mOhm @ 52A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 125µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
105nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3480pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21032 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SPB80N06S2L-09
SPB80N06S2L-09 Elektronické komponenty
SPB80N06S2L-09 Odbyt
SPB80N06S2L-09 Dodavatel
SPB80N06S2L-09 Distributor
SPB80N06S2L-09 Datová tabulka
SPB80N06S2L-09 Fotky
SPB80N06S2L-09 Cena
SPB80N06S2L-09 Nabídka
SPB80N06S2L-09 Nejnižší cena
SPB80N06S2L-09 Vyhledávání
SPB80N06S2L-09 Nákup
SPB80N06S2L-09 Chip