Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SPB80N10L
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Číslo dílu
SPB80N10L
Výrobce/značka
Série
SIPMOS®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-3-2
Ztráta energie (max.)
250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
14 mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 2mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
240nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4540pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27592 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SPB80N10L
SPB80N10L Elektronické komponenty
SPB80N10L Odbyt
SPB80N10L Dodavatel
SPB80N10L Distributor
SPB80N10L Datová tabulka
SPB80N10L Fotky
SPB80N10L Cena
SPB80N10L Nabídka
SPB80N10L Nejnižší cena
SPB80N10L Vyhledávání
SPB80N10L Nákup
SPB80N10L Chip